二極體

二極體

二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode),另外,還有早期的真空電子二極體;它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個PN結兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導性。一般來講,晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場。當外加電壓等於零時,由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態,這也是常態下的二極體特性。

基本信息

特性與套用

二極體又稱晶體二極體,簡稱二極體(diode);它只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個零件號接合的2個端子的器件,具有按照外加電壓的方向,使電流流動或不流動的性質。晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極體,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其套用也非常廣泛。

工作原理

二極體二極體
晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。

類型

二極體種類有很多,按照所用的半導體材料,可分為二極體(Ge管)和矽二極體(Si管)。根據其不同用途,可分為檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體等。按照管芯結構,又可分為點接觸型二極體、面接觸型二極體及平面型二極體。點接觸型二極體是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面,通以脈衝電流,使觸絲一端與晶片牢固地燒結在一起,形成一個“PN結”。由於是點接觸,只允許通過較小的電流(不超過幾十毫安),適用於高頻小電流電路,如收音機的檢波等。面接觸型二極體的“PN結”面積較大,允許通過較大的電流(幾安到幾十安),主要用於把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極體是一種特製的矽二極體,它不僅能通過較大的電流,而且性能穩定可靠,多用於開關、脈衝及高頻電路中。

導電特性

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二極體最重要的特性就是單方嚮導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極體的正向特性和反向特性。
1. 正向特性。
在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”,鍺管約為0.2V,矽管約為0.6V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,矽管約為0.7V),稱為二極體的“正向壓降”。2. 反向特性。
在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方嚮導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

3. 擊穿
外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極體反向擊穿電壓。電擊穿時二極體失去單嚮導電性。如果二極體沒有因電擊穿而引起過熱,則單嚮導電性不一定會被永久破壞,在撤除外加電壓後,其性能仍可恢復,否則二極體就損壞了。因而使用時應避免二極體外加的反向電壓過高。二極體是一種具有單嚮導電的二端器件,有電子二極體和晶體二極體之分,電子二極體現已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極體。二極體的單嚮導電特性,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極體,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生最早的半導體器件之一,其套用也非常廣泛。二極體的管壓降:矽二極體(不發光類型)正向管壓降0.7V,鍺管正向管壓降為0.3V,發光二極體正向管壓降為隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發光二極體的壓降為2.0--2.2V,黃色發光二極體的壓降為1.8—2.0V,綠色發光二極體的壓降為3.0—3.2V,正常發光時的額定電流約為20mA。二極體的電壓與電流不是線性關係,所以在將不同的二極體並聯的時候要接相適應的電阻。

4.二極體的特性曲線
與PN結一樣,二極體具有單嚮導電性。矽二極體典型伏安特性曲線(圖)。在二極體加有正向電壓,當電壓值較小時,電流極小;當電壓超過0.6V時,電流開始按指數規律增大,通常稱此為二極體的開啟電壓;當電壓達到約0.7V時,二極體處於完全導通狀態,通常稱此電壓為二極體的導通電壓,用符號UD表示。對於鍺二極體,開啟電壓為0.2V,導通電壓UD約為0.3V。在二極體加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極體的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極體的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。
5.二極體的反向擊穿
齊納擊穿:反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿:另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速後又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結永久性損壞。

參數概念

二極體二極體
用來表示二極體的性能好壞和適用範圍的技術指標,稱為二極體的參數。不同類型的二極體有不同的特性參數。對初學者而言,必須了解以下幾個主要參數:
1、額定正向工作電流
是指二極體長期連續工作時允許通過的最大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(矽管為140左右,鍺管為90左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以,二極體使用中不要超過二極體額定正向工作電流值。例如,常用的IN4001-4007型鍺二極體的額定正向工作電流為1A。
2、最高反向工作電壓
加在二極體兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單嚮導電能力。為了保證使用安全,規定了最高反向工作電壓值。例如,IN4001二極體反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。
3、反向電流
反向電流是指二極體在規定的溫度和最高反向電壓作用下,流過二極體的反向電流。反向電流越小,管子的單方嚮導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關係,大約溫度每升高10,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極體,在25時反向電流若為250uA,溫度升高到35,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方嚮導電特性,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型矽二極體,25時反向電流僅為5uA,溫度升高到75時,反向電流也不過160uA。故二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性。

晶體二極體

晶體二極體
crystal diode

固態電子器件中的半導體兩端器件。起源於19世紀末發現的點接觸二極體效應,發展於20世紀30年代,主要特徵是具有單嚮導電性,即整流特性。利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構,可製成不同類型的二極體,用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。例如穩壓二極體可在電源電路中提供固定偏壓和進行過壓保護;雪崩二極體作為固體微波功率源,用於小型固體發射機中的發射源;半導體光電二極體能實現光-電能量的轉換,可用來探測光輻射信號;半導體發光二極體能實現電-光能量的轉換,可用作指示燈、文字-數字顯示、光耦合器件、光通信系統光源等;肖特基二極體可用於微波電路中的混頻、檢波、調製、超高速開關、倍頻和低噪聲參量放大等。
分類
按用途分:檢波二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關管、光電管。
按結構分:點接觸型二極體、面接觸型二極體

雷射二極體

一、雷射的產生機理

在講雷射產生機理之前,先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,

一時處於高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷,稱之為自發輻射;

二是處於高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷,稱之為受激輻射;

三是處於低能態的粒子吸收外來光的能量向高能態躍遷稱之為受激吸收

自發輻射,即使是兩個同時從某一高能態向低能態躍遷的粒子,它們發出光的相位、偏振狀態、發射方向也可能不同,但受激輻射就不同,當位於高能態的粒子在外來光子的激發下向低能態躍遷,發出在頻率、相位、偏振狀態等方面與外來光子完全相同的光。在雷射器中,發生的輻射就是受激輻射,它發出的雷射在頻率、相位、偏振狀態等方面完全一樣。任何的受激發光系統,即有受激輻射,也有受激吸收,只有受激輻射占優勢,才能把外來光放大而發出雷射。而一般光源中都是受激吸收占優勢,只有粒子的平衡態被打破,使高能態的粒子數大於低能態的粒子數(這樣情況稱為離子數反轉),才能發出雷射。

產生雷射的三個條件是:實現粒子數反轉、滿足閾值條件和諧振條件。產生光的受激發射的首要條件是粒子數反轉,在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶。為了獲得離子數反轉,通常採用重摻雜的P型和N型材料構成PN結,這樣,在外加電壓作用下,在結區附近就出現了離子數反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子,而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴。實現粒子數反轉是產生雷射的必要條件,但不是充分條件。要產生雷射,還要有損耗極小的諧振腔,諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,激活物質所發出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,不斷引起新的受激輻射,使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大於雷射器內的各種損耗,即滿足一定的閾值條件:

P1P2exp(2G - 2A) ≥ 1

(P1、P2是兩個反射鏡的反射率,G是激活介質的增益係數,A是介質的損耗係數,exp為常數),才能輸出穩定的雷射,另一方面,雷射在諧振腔內來回反射,只有這些光束兩兩之間在輸出端的相位差Δф =2qπ q=1、2、3、4。。。。時,才能在輸出端產生加強幹涉,輸出穩定雷射。設諧振腔的長度為L,激活介質的折射率為N,則

Δф=(2π/λ)2NL=4πN(Lf/c)=2qπ,

上式可化為f=qc/2NL該式稱為諧振條件,它表明諧振腔長度L和折射率N確定以後,只有某些特定頻率的光才能形成光振盪,輸出穩定的雷射。這說明諧振腔對輸出的雷射有一定的選頻作用。

二、雷射二極體本質上是一個半導體二極體,按照PN結材料是否相同,可以把雷射二極體分為同質結、單異質結(SH)、雙異質結(DH)和量子阱(QW)雷射二極體。量子阱雷射二極體具有閾值電流低,輸出功率高的優點,是目前市場套用的主流產品。同雷射器相比,雷射二極體具有效率高、體積小、壽命長的優點,但其輸出功率小(一般小於2mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統中的套用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模組中,上行發射一般都採用量子阱雷射二極體作為光源。

半導體雷射二極體的基本結構如圖所示,垂直於PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔,它們可以是半導體晶體的解理面,也可以是經過拋光的平面。其餘兩側面則相對粗糙,用以消除主方向外其它方向的雷射作用。

半導體中的光發射通常起因於載流子的複合。當半導體的PN結加有正向電壓時,會削弱pn結勢壘,迫使電子從N區經PN結注入P區,空穴從P區經過PN結注入N區,這些注入PN結附近的非平衡電子和空穴將會發生複合,從而發射出波長為λ的光子,其公式如下:

λ = hc/Eg (1)

式中:h—普朗克常數; c—光速; Eg—半導體的禁頻寬度。

載流子:電子-模型圖載流子:電子-模型圖

上述由於電子與空穴的自發複合而發光的現象稱為自發輻射。當自發輻射所產生的光子通過半導體時,一旦經過已發射的電子—空穴對附近,就能激勵二者複合,產生新光子,這種光子誘使已激發的載流子複合而發出新光子現象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大,則會形成和熱平衡狀態相反的載流子分布,即粒子數反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下,少量自發輻射產生的光子由於諧振腔兩端面往復反射而產生感應輻射,造成選頻諧振正反饋,或者說對某一頻率具有增益。當增益大於吸收損耗時,就可從PN結髮出具有良好譜線的相干光——雷射,這就是雷射二極體的簡單原理。

隨著技術和工藝的發展,目前實際使用的半導體雷射二極體具有複雜的多層結構。

常用的雷射二極體有兩種:①PIN光電二極體。它在收到光功率產生光電流時,會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極體。它能夠提供內部放大,比PIN光電二極體的傳輸距離遠,但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比,光檢測器件後面須連線低噪聲預放大器和主放大器。

光子-模型圖光子-模型圖

半導體雷射二極體的工作原理,理論上與氣體雷射器相同。

雷射二極體本質上是一個半導體二極體,按照PN結材料是否相同,可以把雷射二極體分為同質結、單異質結(SH)、雙異質結(DH)和量子阱(QW)雷射二極體。量子阱雷射二極體具有閾值電流低,輸出功率高的優點,是目前市場套用的主流產品。同雷射器相比,雷射二極體具有效率高、體積小、壽命長的優點,但其輸出功率小(一般小於2mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統中的套用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模組中,上行發射一般都採用量子阱雷射二極體作為光源。

半導體雷射二極體的常用參數有:
(1)波長:即雷射管工作波長,目前可作光電開關用的雷射管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。
(2)閾值電流Ith :即雷射管開始產生雷射振盪的電流,對一般小功率雷射管而言,其值約在數十毫安,具有應變多量子阱結構的雷射管閾值電流可低至10mA以下。
(3)工作電流Iop :即雷射管達到額定輸出功率時的驅動電流,此值對於設計調試雷射驅動電路較重要。
(4)垂直發散角θ⊥:雷射二極體的發光帶在垂直PN結方向張開的角度,一般在15˚~40˚左右。
(5)水平發散角θ∥:雷射二極體的發光帶在與PN結平行方向所張開的角度,一般在6˚~ 10˚左右。
(6)監控電流Im :即雷射管在額定輸出功率時,在PIN管上流過的電流。

雷射二極體在計算機上的光碟驅動器,雷射印表機中的列印頭等小功率光電設備中得到了廣泛的套用。

發光二極體

二極體二極體
發光二極體簡稱為LED。由鎵(Ga)與砷(AS)、磷(P)的化合物製成的二極體,當電子與空穴複合時能輻射出可見光,因而可以用來製成發光二極體,在電路及儀器中作為指示燈,或者組成文字或數字顯示。磷砷化鎵二極體發紅光,磷化鎵二極體發綠光,碳化矽二極體發黃光。

它是半導體二極體的一種,可以把電能轉化成光能;常簡寫為LED。發光二極體與普通二極體一樣是由一個PN結組成,也具有單嚮導電性。當給發光二極體加上正向電壓後,從P區注入到N區的空穴和由N區注入到P區的電子,在PN結附近數微米內分別與N區的電子和P區的空穴複合,產生自發輻射的螢光。不同的半導體材料中電子和空穴所處的能量狀態不同。當電子和空穴複合時釋放出的能量多少不同,釋放出的能量越多,則發出的光的波長越短。常用的是發紅光、綠光或黃光的二極體。

發光二極體的反向擊穿電壓約5伏。它的正向伏安特性曲線很陡,使用時必須串聯限流電阻以控制通過管子的電流。限流電阻R可用下式計算:

R=(F-UF)/IF

式中E為電源電壓,UF為LED的正向壓降,IF為LED的一般工作電流。發光二極體的兩根引線中較長的一根為正極,應按電源正極。有的發光二極體的兩根引線一樣長,但管殼上有一凸起的小舌,靠近小舌的引線是正極。

與小白熾燈泡和氖燈相比,發光二極體的特點是:工作電壓很低(有的僅一點幾伏);工作電流很小(有的僅零點幾毫安即可發光);抗衝擊和抗震性能好,可靠性高,壽命長;通過調製通過的電流強弱可以方便地調製發光的強弱。由於有這些特點,發光二極體在一些光電控制設備中用作光源,在許多電子設備中用作信號顯示器。把它的管心做成條狀,用7條條狀的發光管組成7段式半導體數碼管(圖),每個數碼管可顯示0~9十個數目字。

微波二極體

工作在微波頻段的二極體。屬於固體微波器件。微波波段通常指頻率從300兆赫到3000吉赫。19世紀末發現了點接觸二極體效應後,相繼出現了PIN二極體、變容二極體、肖特基二極體、隧道二極體、耿氏二極體等微波二極體。微波二極體的基片材料由鍺、矽發展到砷化鎵,使微波二極體工作頻率不斷提高,目前最高頻率已達300吉赫。微波二極體具有體積小和可靠性高等優點,用於微波振盪、放大、變頻、開關、移相和調製等方面。

穩壓二極體

voltage stabilizing diode

一種用於穩定電壓的單PN結二極體。它的伏安特性、電路符號如圖所示。結構同整流二極體。加在穩壓二極體的反向電壓增加到一定數值時,將可能有大量載流子隧穿PN結的位壘,形成大的反向電流,此時電壓基本不變,稱為隧道擊穿。當反向電壓比較高時,在位壘區內將可能產生大量載流子,受強電場作用形成大的反向電流,而電壓亦基本不變,為雪崩擊穿。因此,反向電壓臨近擊穿電壓時,反向電流迅速增加,而反向電壓幾乎不變。這個近似不變的電壓稱為齊納電壓(隧道擊穿)或雪崩電壓(雪崩擊穿)。

穩壓二極體工作於反向擊穿狀態(圖a)。反向電流在-IZK和-IZM之間時,二極體兩端的電壓基本不變,等於UZ,即為穩定電壓。對矽穩壓二極體而言,穩定電壓在5V以下的器件靠齊納電壓工作,穩定電壓在7V以上的器件靠雪崩電壓工作,兩者之間的器件兩種形式的擊穿都可能起作用。

電流IZK是器件起穩壓作用的最小工作電流,而IZM則是最大可利用的齊納電流或雪崩電流,其值受穩壓二極體耗散功率的限制。IZ是相應於穩定電壓UZ的工作電流。最大工作電流的範圍從幾個毫安到幾十安。常用穩壓二極體的穩定電壓標稱值約在2~200V的範圍內。

觸發二極體

二極體二極體
觸發二極體(DIAC)屬三層結構,具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控矽 ,在電路中作過壓保護等用途。

圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路,可等效於基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型電晶體。因此完全可用二隻NPN電晶體如圖4連線來替代。

雙向觸發二極體正、反向伏安特性幾乎完全對稱(見圖5)。當器件兩端所加電壓U低於正向轉折電壓V(B0)時,器件呈高阻態。當U>V(B0)時,管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U大於反向轉折電壓V(BR)時,管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)應小於2伏。雙向觸發二極體的正向轉折電壓值一般有三個等級:20-60V、100-150V、200-250V。由於轉折電壓都大於20V,可以用萬用表電阻擋正反向測雙向二極體,錶針均應不動(RX10k),但還不能完全確定它就是好的。檢測它的好壞,並能提供大於250V的直流電壓的電源,檢測時通過管子的電流不要大於是5mA。用電晶體耐壓測試器檢測十分方便。如沒有,可用兆歐表按圖6所示進行測量(正、反各一次),電壓大的一次V(BR)。例如:測一隻DB3型二極體,第一次為27.5V,反向後再測為28V,則△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明該管對稱性很好。

圖7是雙向觸發二極體與雙向可控矽等元件構成的檯燈調光電路。通過調節電位器R2,可以改變雙向可控矽的導通角,從而改變通過燈泡的電流(平均值)實現連續調光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實現連續調溫。

該電路在雙向可控矽加散熱器的情況下,可控負載功率可達500W,各元件參數見圖所標註。

隧道二極體

又稱為江崎二極體,它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極體。隧道二極體是採用砷化鎵(GaAs)和銻化鎵(GaSb)等材料混合製成的半導體二極體,其優點是開關特性好,速度快、工作頻率高;缺點是熱穩定性較差。一般套用於某些開關電路或高頻振盪等電路中。它的工作符合發生隧道效應具備的三個條件:①費米能級位於導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡併半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。隧道二極體為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標"P"代表"峰";而下標"V"代表"谷"。簡單地說,所謂"隧道效應"就是指粒子通過一個勢能大於總能量的有限區域。這是一種量子力學現象, 按照經典力學是不可能出現的。隧道二極體可以被套用於低噪聲高頻放大器及高頻振盪器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被套用於高速開關電路中。

光敏二極體

光敏二極體也叫光電二極體。光敏二極體與半導體二極體在結構上是類似的,其管芯是一個具有光敏特徵的PN結,具有單嚮導電性,因此工作時需加上反向電壓。無光照時,有很小的飽和反向漏電流,即暗電流,此時光敏二極體截止。當受到光照時,飽和反向漏電流大大增加,形成光電流,它隨入射光強度的變化而變化。當光線照射PN結時,可以使PN結中產生電子一空穴對,使少數載流子的密度增加。這些載流子在反向電壓下漂移,使反向電流增加。因此可以利用光照強弱來改變電路中的電流現象。常見的有2CU、2DU等系列。

二極體的種類很多,一般是根據二極體的性能命名的。

識別

小功率二極體的N極(負極),在二極體外表大多採用一種色圈標出來,有些二極體也用二極體專用符號來表示P極(正極)或N極(負極),也有採用符號標誌為“P”、“N”來確定二極體極性的。發光二極體的正負極可從引腳長短來識別,長腳為正,短腳為負。用數字式萬用表去測二極體時,紅表筆接二極體的正極,黑表筆接二極體的負極,此時測得的阻值才是二極體的正嚮導通阻值,這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。半導體是一種具有特殊性質的物質,它不像導體一樣能夠完全導電,又不像絕緣體那樣不能導電,它介於兩者之間,所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是矽(讀“gui”)和鍺(讀“zhe”)。我們常聽說的美國矽谷,就是因為起先那裡有好多家半導體廠商。二極體應該算是半導體器件家族中的元老了。很久以前,人們熱衷於裝配一種礦石收音機來收聽無線電廣播,這種礦石後來就被做成了晶體二極體。

工作原理

晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結,在其界面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時,pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

檢測方法

檢測小功率晶體二極體

A.判別正、負電極
(a)觀察外殼上的符號標記。通常在二極體的外殼上標有二極體的符號,帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負極。
(b)觀察外殼上的色點。在點接觸二極體的外殼上,通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極體上標有色環,帶色環的一端則為負極。
(c)以阻值較小的一次測量為準,黑表筆所接的一端為正極,紅表筆所接的一端則為負極。
(d)觀察二極體外殼,帶有銀色帶一端為負極。
B.檢測最高反向擊穿電壓。對於交流電來說,因為不斷變化,因此最高反向工作電壓也就是二極體承受的交流峰值電壓。

檢測雙向觸發二極體

將萬用表置於相應的直流電壓擋。測試電壓由兆歐表提供。測試時,搖動兆歐表,萬同樣的方法測出VBR值。最後將VBO與VBR進行比較,兩者的絕對值之差越小,說明被測雙向觸發二極體的對稱性越好。

瞬態電壓抑制二極體(TVS)的檢測

A.用萬用表測量管子的好壞對於單要極型的TVS,按照測量普通二極體的方法,可測出其正、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,反向電阻為無窮大。
對於雙向極型的TVS,任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大,否則,說明管子性能不良或已經損壞。

高頻變阻二極體的檢測

識別正、負極高頻變阻二極體與普通二極體在外觀上的區別是其色標顏色不同,普通二極體的色標顏色一般為黑色,而高頻變阻二極體的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極體相似,即帶綠色環的一端為負極,不帶綠色環一端為正極。

變容二極體的檢測

將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量,變容二極體的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中,發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零,說明被測變容二極體有漏電故障或已經擊穿壞。

單色發光二極體的檢測

在萬用表外部附接一節能1.5V乾電池,將萬用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當於給予萬用表串接上了1.5V的電壓,使檢測電壓增加至3V(發光二極體的開啟電壓為2V)。檢測時,用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極體的兩管腳。若管子性能良好,必定有一次能正常發光,此時,黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。

紅外發光二極體的檢測

A.判別紅外發光二極體的正、負電極。紅外發光二極體有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。因紅外發光二極體呈透明狀,所以管殼內的電極清晰可見,內部電極較寬較大的一個為負極,而較窄且小的一個為正極。
B.先測量紅個發光二極體的正、反向電阻,通常正向電阻應在30k左右,反向電阻要在500k以上,這樣的管子才可正常使用。

紅外接收二極體的檢測

A.識別管腳極性
(a)從外觀上識別。常見的紅外接收二極體外觀顏色呈黑色。識別引腳時,面對受光視窗,從左至右,分別為正極和負極。另外在紅外接收二極體的管體頂端有一個小斜切平面,通常帶有此斜切平面一端的引腳為負極,另一端為正極。
(b)先用萬用表判別普通二極體正、負電極的方法進行檢查,即交換紅、黑表筆兩次測量管子兩引腳間的電阻值,正常時,所得阻值應為一大一小。以阻值較小的一次為準,紅表筆所接的管腳步為負極,黑表筆所接的管腳為正極。
B.檢測性能好壞。用萬用表電阻擋測量紅外接收二極體正、反向電阻,根據正、反向電阻值的大小,即可初步判定紅外接收二極體的好壞。

雷射二極體的檢測

A.按照檢測普通二極體正、反向電阻的方法,即可將雷射二極體的管腳排列順序確定。但檢測時要注意,由於雷射二極體的正向壓降比普通二極體要大,所以檢測正向電阻時,萬用表指針公略微向右偏轉而已。

構造分類

半導體二極體主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極體的範圍內。包括這兩種型號在內,根據PN結構造面的特點,把晶體二極體分類如下:

點接觸型

點接觸型二極體是在材料的單晶片上壓觸一根金屬針後,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用於高頻電路。但是,與面結型相比較,點接觸型二極體正向特性和反向特性都差,因此,不能使用於大電流和整流。因為構造簡單,所以價格便宜。

面接觸型

面接觸型或稱面積型二極體的PN結是用合金法或擴散法做成的,由於這種二極體的PN結面積大,可承受較大電流,但極間電容也大。這類器件適用於整流,而不宜用於高頻率電路中。

鍵型

鍵型二極體是在鍺或矽的單晶片上熔金或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型二極體和合金型二極體之間。與點接觸型相比較,雖然鍵型二極體的PN結電容量稍有增加,但正向特性特別優良。多作開關用,有時也被套用於檢波和電源整流(不大於50mA)。在鍵型二極體中,熔接金絲的二極體有時被稱金鍵型,熔接銀絲的二極體有時被稱為銀鍵型。

合金型

在N型鍺或矽的單晶片上,通過加入合金等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小,適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大,所以不適於高頻檢波和高頻整流。

擴散型

在高溫的P型雜質氣體中,加熱N型鍺或矽的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結。因PN結正向電壓降小,適用於大電流整流。最近,使用大電流整流器的主流已由矽合金型轉移到矽擴散型。

台面型

PN結的製作方法雖然與擴散型相同,但是,只保留PN結及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出台面形,因而得名。初期生產的台面型,是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此,又把這種台面型稱為擴散台面型。對於這一類型來說,似乎大電流整流用的產品型號很少,而小電流開關用的產品型號卻很多。

平面型

在半導體單晶片(主要地是N型矽單晶片)上,擴散P型雜質,利用矽片表面氧化膜的禁止作用,在N型矽單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此,不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由於半導體表面被製作得平整,故而得名。並且,PN結合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初,對於被使用的半導體材料是採用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極體而言,似乎使用於大電流整流用的型號很少,而作小電流開關用的型號則很多。

合金擴散型

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質,就能與合金一起過擴散,以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容二極體。

外延型

用外延面長的過程製造PN結而形成的二極體。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布,故適宜於製造高靈敏度的變容二極體。

肖特基

基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導體(N型矽片)的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是:開關速度非常快:反向恢復時間trr特別地短。因此,能製作開關二極和低壓大電流整流二極體。

用途分類

二極體二極體
檢波二極體
檢波二極體的主要作用是把高頻信號中的低頻信號檢出。它們的結構為點接觸型,所以其結電容較小,工作頻率較高。一般都採用鍺材料製成。就原理而言,從輸入信號中取出調製信號是檢波,以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz,正向壓降小,結電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極體,除用於檢波外,還能夠用於限幅、削波、調製、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩隻二極體組合件。
2.整流二極體
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。面結型,因此結電容較大,一般為3kHZ以下。最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔。分類如下:①矽半導體整流二極體2CZ型、②矽橋式整流器QL型、③用於電視機高壓矽堆工作頻率近100KHz的2CLG型。
3.限幅二極體
二極體正嚮導通後,它的正向壓降基本保持不變(矽管為0.7V,鍺管為0.3V)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號幅度限制在一定範圍內。
大多數二極體能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極體。為了使這些二極體具有特彆強的限制尖銳振幅的作用,通常使用矽材料製造的二極體。也有這樣的組件出售:依據限制電壓需要,把若干個必要的整流二極體串聯起來形成一個整體。
4.調製二極體
通常指的是環形調製專用的二極體。就是正向特性一致性好的四個二極體的組合件。即使其它變容二極體也有調製用途,但它們通常是直接作為調頻用。
5.混頻二極體
使用二極體混頻方式時,在500~10,000Hz的頻率範圍內,多採用肖特基型和點接觸型二極體。
6.放大二極體
用二極體放大,大致有依靠隧道二極體和體效應二極體那樣的負阻性器件的放大,以及用變容二極體的參量放大。因此,放大用二極體通常是指隧道二極體、體效應二極體和變容二極體。
7.開關二極體
二極體在正向電壓作用下電阻很小,處於導通狀態,相當於一隻接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大,處於截止狀態,如同一隻斷開的開關。利用二極體的開關特性,可以組成各種邏輯電路。
有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極體。小電流的開關二極體通常有點接觸型和鍵型等二極體,也有在高溫下還可能工作的矽擴散型、台面型和平面型二極體。開關二極體的特長是開關速度快。而肖特基型二極體的開關時間特短,因而是理想的開關二極體。2AK型點接觸為中速開關電路用;2CK型平面接觸為高速開關電路用;用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)矽大電流開關,正向壓降小,速度快、效率高。
8.變容二極體
用於自動頻率控制(AFC)和調諧用的小功率二極體稱變容二極體。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓,;使其PN結的靜電容量發生變化。因此,被使用於自動頻率控制、掃描振盪、調頻和調諧等用途。通常,雖然是採用矽的擴散型二極體,但是也可採用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極體,因為這些二極體對於電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調諧迴路、振盪電路、鎖相環路,常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路,多以矽材料製作。
9.頻率倍增用二極體
對二極體的頻率倍增作用而言,有依靠變容二極體的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極體的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極體稱為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極體的工作原理相同,但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極體又被稱為階躍恢復二極體,從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短,因此,其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極體施加正弦波,那么,因tt(轉移時間)短,所以輸出波形急驟地被夾斷,故能產生很多高頻諧波。
10.穩壓二極體
這種管子是利用二極體的反向擊穿特性製成的,在電路中其兩端的電壓保持基本不變,起到穩定電壓的作用。是代替穩壓電子二極體的產品。被製作成為矽的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極體。作為控制電壓和標準電壓使用而製作的。二極體工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態,矽材料製作,動態電阻RZ很小,一般為2CW、2CW56等;將兩個互補二極體反向串接以減少溫度係數則為2DW型。
穩壓二極體的溫度係數α:α表示溫度每變化1℃穩壓值的變化量。穩定電壓小於4V的管子具有負溫度係數(屬於齊納擊穿),即溫度升高時穩定電壓值下降(溫度使價電子上升較高能量);穩定電壓大於7V的管子具有正溫度係數(屬於雪崩式擊穿),即溫度升高時穩定電壓值上升(溫度使原子振幅加大,阻礙載流子運動);而穩定電壓在4~7V之間的管子,溫度係數非常小,近似為零(齊納擊穿和雪崩擊穿均有)。
11.PIN型二極體(PINDiode)
這是在P區和N區之間夾一層本徵半導體(或低濃度雜質的半導體)構造的晶體二極體。PIN中的I是"本徵"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時,由於少數載流子的存貯效應和"本徵"層中的渡越時間效應,其二極體失去整流作用而變成阻抗元件,並且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,"本徵"區的阻抗很高;在直流正向偏置時,由於載流子注入"本徵"區,而使"本徵"區呈現出低阻抗狀態。因此,可以把PIN二極體作為可變阻抗元件使用。它常被套用於高頻開關(即微波開關)、移相、調製、限幅等電路中。
12.雪崩二極體(AvalancheDiode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的電晶體。產生高頻振盪的工作原理是欒的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯後於電壓,出現延遲時間,若適當地控制渡越時間,那么,在電流和電壓關係上就會出現負阻效應,從而產生高頻振盪。它常被套用於微波領域的振盪電路中。
13.江崎二極體(TunnelDiode)
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極體。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡併態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位於導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡併半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極體為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標"P"代表"峰";而下標"V"代表"谷"。江崎二極體可以被套用於低噪聲高頻放大器及高頻振盪器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被套用於高速開關電路中。
14.快速關斷(階躍恢復)二極體(StepRecovaryDiode)
它也是一種具有PN結的二極體。其結構上的特點是:在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區,從而形成"自助電場"。由於PN結在正向偏壓下,以少數載流子導電,並在PN結附近具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"後才能降至最小值(反向飽和電流值)。階躍恢復二極體的"自助電場"縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,並產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷(階躍恢復)二極體用於脈衝和高次諧波電路中。
15.肖特基二極體;(SchottkyBarrierDiode)
二極體電路
它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用矽或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。
可作為續流二極體,在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。
16.阻尼二極體
阻尼二極體多用在高頻電壓電路中,具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極體,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。常用的阻尼二極體有2CN1、2CN2、BSBS44等。
17.瞬變電壓抑制二極體
TVP管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類。
18.雙基極二極體(單結電晶體)
兩個基極,一個發射極的三端負阻器件,用於張馳振盪電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
19.發光二極體
用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成,體積小,正向驅動發光。工作電壓低,工作電流小,發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠、藍單色光。隨著技術的進步,近來研製成了白光高亮二極體,形成了LED照明這一新興產業。
還用於VCD、DVD、計算器等顯示器上。
20.、矽功率開關二極體
矽功率開關二極體具有高速導通與截止的能力。它主要用於大功率開關或穩壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續流箝拉,具有恢復特性軟、過載能力強的優點、廣泛用於計算機、雷達電源、步進電機調速等方面。

特性分類

二極體二極體
點接觸型二極體,按正向和反向特性分類如下。
1.一般用點接觸型二極體
這種二極體正如標題所說的那樣,通常被使用於檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間產品。如:SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類。
2.高反向耐壓點接觸型二極體
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用於高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極體一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極體中,有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極體,其耐壓受到限制。要求更高時有矽合金和擴散型。
3.高反向電阻點接觸型二極體
正向電壓特性和一般用二極體相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極體而言,SD54、1N54A等等屬於這類二極體。
4.高傳導點接觸型二極體
它與高反向電阻型相反。其反向特性儘管很差,但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極體而言,有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極體而言,能夠得到更優良的特性。這類二極體,在負荷電阻特別低的情況下,整流效率較高。二極體最重要的特性就是單方嚮導電性。在電路中,電流只能從二極體的正極流入,負極流出。

正向特性

在電子電路中,將二極體的正極接在高電位端,負極接在低電位端,二極體就會導通,這種連線方式,稱為正向偏置。必須說明,當加在二極體兩端的正向電壓很小時,二極體仍然不能導通,流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門坎電壓”,又稱“死區電壓”,鍺管約為0.1V,矽管約為0.5V)以後,二極體才能直正導通。導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V,矽管約為0.7V),稱為二極體的“正向壓降”。

反向特性

在電子電路中,二極體的正極接在低電位端,負極接在高電位端,此時二極體中幾乎沒有電流流過,此時二極體處於截止狀態,這種連線方式,稱為反向偏置。二極體處於反向偏置時,仍然會有微弱的反向電流流過二極體,稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值,反向電流會急劇增大,二極體將失去單方嚮導電特性,這種狀態稱為二極體的擊穿。

主要參數

用來表示二極體的性能好壞和適用範圍的技術指標,稱為二極體的參數。不同類型的二極體有不同的特性參數。對初學者而言,必須了解以下幾個主要參數:

1、最大整流電流IF

是指二極體長期連續工作時,允許通過的最大正向平均電流值,其值與PN結面積及外部散熱條件等有關。因為電流通過管子時會使管芯發熱,溫度上升,溫度超過容許限度(矽管為141左右,鍺管為90左右)時,就會使管芯過熱而損壞。所以在規定散熱條件下,二極體使用中不要超過二極體最大整流電流值。例如,常用的IN4001-4007型鍺二極體的額定正向工作電流為1A。

2、最高反向工作電壓Udrm

加在二極體兩端的反向電壓高到一定值時,會將管子擊穿,失去單嚮導電能力。為了保證使用安全,規定了最高反向工作電壓值。例如,IN4001二極體反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。

3、反向電流Idrm

反向電流是指二極體在常溫(25℃)和最高反向電壓作用下,流過二極體的反向電流。反向電流越小,管子的單方嚮導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關係,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極體,在25℃時反向電流若為250uA,溫度升高到35℃,反向電流將上升到500uA,依此類推,在75℃時,它的反向電流已達8mA,不僅失去了單方嚮導電特性,還會使管子過熱而損壞。又如,2CP10型矽二極體,25℃時反向電流僅為5uA,溫度升高到75℃時,反向電流也不過160uA。故矽二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性。

4、動態電阻Rd

二極體特性曲線靜態工作點Q附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。

5、最高工作頻率Fm

Fm是二極體工作的上限頻率。因二極體與PN結一樣,其結電容由勢壘電容組成。所以Fm的值主要取決於PN結結電容的大小。若是超過此值。則單嚮導電性將受影響。

6、電壓溫度係數αuz

αuz指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。uz為6v左右的穩壓二極體的溫度穩定性較好

參數符號

二極體二極體
CT---勢壘電容
Cj---結(極間)電容,;表示在二極體兩端加規定偏壓下,鍺檢波二極體的總電容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度係數。在測試電流下,穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC---電容溫度係數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二極體在規定的正向電壓VF下,通過極間的電流;矽整流管、矽堆在規定的使用條件下,在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流(平均值),矽開關二極體在額定功率下允許通過的最大正向直流電流;測穩壓二極體正向電參數時給定的電流
IF(AV)---正向平均電流
IFM(IM)---正向峰值電流(正向最大電流)。在額定功率下,允許通過二極體的最大正向脈衝電流。發光二極體極限電流。
IH---恆定電流、維持電流。
Ii---;發光二極體起輝電流
IFRM---正向重複峰值電流
IFSM---正向不重複峰值電流(浪涌電流)
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極體極限電流
ID---暗電流
IB2---單結電晶體中的基極調製電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結電晶體中發射極與第一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結電晶體中發射極向電流
ICM---最大輸出平均電流
IFMP---正向脈衝電流
IP---峰點電流
Ⅳ---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR(AV)---反向平均電流
IR(In)---反向直流電流(反向漏電流)。在測反向特性時,給定的反向電流;矽堆在正弦半波電阻性負載電路中,加反向電壓規定值時,所通過的電流;矽開關二極體兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流;穩壓二極體在反向電壓下,產生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重複平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重複電流
IRRM---反向重複峰值電流
IRSM---反向不重複峰值電流(反向浪涌電流)
Irp---反向恢復電流
Iz---穩定電壓電流(反向測試電流)。測試反向電參數時,給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---最大正向(整流)電流。在規定條件下,能承受的正向最大瞬時電流;在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極體的最大工作電流
IZSM---穩壓二極體浪涌電流
IZM---最大穩壓電流。在最大耗散功率下穩壓二極體允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢復電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極體穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數;電容比
Q---優值(品質因素)
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈衝燒毀功率
PFT(AV)---正嚮導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正嚮導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---最大開關功率
PM---額定功率。矽二極體結溫不高於150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏過脈衝功率
PMS---最大承受脈衝功率
Po---輸出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---最大輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重複浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下,穩壓二極體允許承受的最大功率
RF(r)---正向微分電阻。在正嚮導通時,電流隨電壓指數的增加,呈現明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增加微小量△V,正向電流相應增加△I,則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極電晶體的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r;δ---衰減電阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---延遲時間
tf---下降時間
tfr---正向恢復時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---最高結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢復時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極體的貯成溫度
a---溫度係數
λp---發光峰值波長
△;λ---光譜半寬度
η---單結電晶體分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與第一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF---正向壓降(正向直流電壓)
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF(AV)---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---最大輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓(反向直流電壓)
VRM---反向峰值電壓(最高測試電壓)
V(BR)---擊穿電壓
Vth---閥電壓(門限電壓、死區電壓)
VRRM---反向重複峰值電壓(反向浪涌電壓)
VRWM---反向工作峰值電壓
Vv---谷點電壓
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓範圍電壓增量
Vs---通向電壓(信號電壓)或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度係數
Vk---膝點電壓(穩流二極體)
VL---極限電壓

識別

小功率二極體的N極(負極),在二極體外表大多採用一種色圈標出來,有些二極體也用二極體專用符號來表示P極(正極)或N極(負極),也有採用符號標誌為“P”、“N”來確定二極體極性的。發光二極體的正負極可從引腳長短來識別,長腳為正,短腳為負。用數字式萬用表去測二極體時,紅表筆接二極體的正極,黑表筆接二極體的負極,此時測得的阻值才是二極體的正嚮導通阻值,這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。
半導體是一種具有特殊性質的物質,它不像導體一樣能夠完全導電,又不像絕緣體那樣不能導電,它介於兩者之間,所以稱為半導體。半導體最重要的兩種元素是矽(讀“gui”)和鍺(讀“zhe”)。我們常聽說的美國矽谷,就是因為起先那裡有好多家半導體廠商。
二極體應該算是半導體器件家族中的元老了。很久以前,人們熱衷於裝配一種礦石收音機來收聽無線電廣播,這種礦石後來就被做成了晶體二極體。

發光分類

1.按發光管發光顏色分
按發光管發光顏色分,可分成紅色、橙色、綠色(又細分黃綠、標準綠和純綠)、藍光等。另外,有的發光二極體中包含二種或三種顏色的晶片。根據發光二極體出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色,上述各種顏色的發光二極體還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型。散射型發光二極體適合做指示燈用。
2.按發光管出光面特徵分
按發光管出光面特徵分圓燈、方燈、矩形、面發光管、側向管、表面安裝用微型管等。
圓形燈按直徑分為φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。國外通常把φ3mm的發光二極體記作T-1;把;φ5mm的記作T-1(3/4);把φ4.4mm的記作T-1(1/4)。由半值角大小可以估計圓形發光強度角分布情況。從發光強度角分布圖來分有三類:
⑴高指向性。一般為尖頭環氧封裝,或是帶金屬反射腔封裝,且不加散射劑。半值角為5°~20°或更小,具有很高的指向性,可作局部照明光源用,或與光檢出器聯用以組成自動檢測系統。
⑵標準型。通常作指示燈用,其半值角為20°~45°。
⑶散射型。這是視角較大的指示燈,半值角為45°~90°或更大,散射劑的量較大。

命名方法

二極體的型號命名規定由五個部分組成

關係

二極體的正負二個端子。正端A稱為陽極,負端K;稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。一些初學者容易產生這樣一種錯誤認識:“半導體的一‘半’是一半的‘半’;而二極體也是只有一‘半’電流流動(這是錯誤的),所有二極體就是半導體;”。其實二極體與半導體是完全不同的東西。我們只能說二極體是由半導體組成的器件。半導體無論那個方向都能流動電流。

測試好壞

一)普通二極體的檢測(包括檢波二極體、整流二極體、阻尼二極體、開關二極體、續流二極體)是由一個PN結構成的半導體器件,具有單嚮導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極體的電極,還可估測出二極體是否損壞。
1.極性的判別將萬用表置於R×100檔或R×1k檔,兩表筆分別接二極體的兩個電極,測出一個結果後,對調兩表筆,再測出一個結果。兩次測量的結果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較小(為正向電阻)。在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極體的正極,紅表筆接的是二極體的負極。
2.單負導電性能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料二極體的正向電阻值為1kΩ左右,反向電阻值為300左右。矽材料二極體的電阻值為5kΩ左右,反向電阻值為∞(無窮大)。正向電阻越小越好,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極體的單嚮導電特性越好。 若測得二極體的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極體內部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極體的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極體已開路損壞。
3.反向擊穿電壓的檢測二極體反向擊穿電壓(耐壓值)可以用電晶體直流參數測試表測量。其方法是:測量二極體時,應將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設定為NPN狀態,再將被測二極體的正極接測試表的“C”插孔內,負極插入測試表的“e”插孔,然後按下“V(BR)”鍵,測試表即可指示出二極體的反向擊穿電壓值。 也可用兆歐表和萬用表來測量二極體的反向擊穿電壓、測量時被測二極體的負極與兆歐表的正極相接,將二極體的正極與兆歐表的負極相連,同時用萬用表(置於合適的直流電壓檔)監測二極體兩端的電壓。如圖4-71所示,搖動兆歐表手柄(應由慢逐漸加快),待二極體兩端電壓穩定而不再上升時,此電壓值即是二極體的反向擊穿電壓。

穩壓的檢測

1.正、負電極的判別從外形上看,金屬封裝穩壓二極體管體的正極一端為平面形,負極一端為半圓面形。塑封穩壓二極體管體上印有彩色標記的一端為負極,另一端為正極。對標誌不清楚的穩壓二極體,也可以用萬用表判別其極性,測量的方法與普通二極體相同,即用萬用表R×1k檔,將兩表筆分別接穩壓二極體的兩個電極,測出一個結果後,再對調兩表筆進行測量。在兩次測量結果中,阻值較小那一次,黑表筆接的是穩壓二極體的正極,紅表筆接的是穩壓二極體的負極。若測得穩壓二極體的正、反向電阻均很小或均為無窮大,則說明該二極體已擊穿或開路損壞。2.穩壓值的測量用0~30V連續可調直流電源,對於13V以下的穩壓二極體,可將穩壓電源的輸出電壓調至15V,將電源正極串接1隻1.5kΩ限流電阻後與被測穩壓二極體的負極相連線,電源負極與穩壓二極體的正極相接,再用萬用表測量穩壓二極體兩端的電壓值,所測的讀數即為穩壓二極體的穩壓值。若穩壓二極體的穩壓值高於15V,則應將穩壓電源調至20V以上。 也可用低於1000V的兆歐表為穩壓二極體提供測試電源。其方法是:將兆歐表正端與穩壓二極體的負極相接,兆歐表的負端與穩壓二極體的正極相接後,按規定勻速搖動兆歐表手柄,同時用萬用表監測穩壓二極體兩端電壓值(萬用表的電壓檔應視穩定電壓值的大小而定),待萬用表的指示電壓指示穩定時,此電壓值便是穩壓二極體的穩定電壓值。 若測量穩壓二極體的穩定電壓值忽高忽低,則說明該二極體的性不穩定。 圖4-72是穩壓二極體穩壓值的測量方法。

雙向觸發的檢測

1.正、反向電阻值的測量用萬用表R×1k或R×10k檔,測量雙向觸發二極體正、反向電阻值。正常時其正、反向電阻值均應為無窮大。若測得正、反向電阻值均很小或為0,則說明該二極體已擊穿損壞。 2.測量轉折電壓測量雙向觸發二極體的轉折電壓有三種方法。 第一種方法是:將兆歐表的正極(E)和負極(L)分別接雙向觸發二極體的兩端,用兆歐表提供擊穿電壓,同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值,將雙向觸發二極體的兩極對調後再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差(一般為3~6V)。此偏差值越小,說明此二極體的性能越好。 第二種方法是:先用萬用表測出市電電壓U,然後將被測雙向觸發二極體串入萬用表的交流電壓測量迴路後,接入市電電壓,讀出電壓值U1,再將雙向觸發二極體的兩極對調連線後並讀出電壓值U2。 若U1與U2的電壓值相同,但與U的電壓值不同,則說明該雙向觸發二極體的導通性能對稱性良好。若U1與U2的電壓值相差較大時,則說明該雙向觸發二極體的導通性不對稱。若U1、U2電壓值均與市電U相同時,則說明該雙向觸發二極體內部已短路損壞。若U1、U2的電壓值均為0V,則說明該雙向觸發二極體內部已開路損壞。 第三種方法是:用0~50V連續可調直流電源,將電源的正極串接1隻20kΩ電阻器後與雙向觸發二極體的一端相接,將電源的負極串接萬用表電流檔(將其置於1mA檔)後與雙向觸發二極體的另一端相接。逐漸增加電源電壓,當電流表指針有較明顯擺動時(幾十微安以上),則說明此雙向觸發二極體已導通,此時電源的電壓值即是雙向觸發二極體的轉折電壓。 圖4-73是雙向觸發二極體轉折電壓的檢測方法。
發光的檢測
1.正、負極的判別將發光二極體放在一個光源下,觀察兩個金屬片的大小,通常金屬片大的一端為負極,金屬片小的一端為正極。2.性能好壞的判斷 用萬用表R×10k檔,測量發光二極體的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值(黑表筆接正極時)約為10~20kΩ,反向電阻值為250kΩ~∞(無窮大)。較高靈敏度的發光二極體,在測量正向電阻值時,管內會發微光。若用萬用表R×1k檔測量發光二極體的正、反向電阻值,則會發現其正、反向電阻值均接近∞(無窮大),這是因為發光二極體的正向壓降大於1.6V(高於萬用表R×1k檔內電池的電壓值1.5V)的緣故 用萬用表的R×10k檔對一隻220μF/25V電解電容器充電(黑表筆接電容器正極,紅表筆接電容器負極),再將充電後的電容器正極接發光二極體正極、電容器負極接發光二極體負極,若發光二極體有很亮的閃光,則說明該發光二極體完好。 也可用3V直流電源,在電源的正極串接1隻33Ω電阻後接發光二極體的正極,將電源的負極接發光二極體的負極(見圖4-74),正常的發光二極體應發光。或將1節1.5V電池串接在萬用表的黑表筆(將萬用表置於R×10或R×100檔,黑表筆接電池負極,等於與表內的1.5V電池串聯),將電池的正極接發光二極體的正極,紅表筆接發光二極體的負極,正常的發光二極體應發光。

紅外發光的檢測

1.正、負極性的判別紅外發光二極體多採用透明樹脂封裝,管心下部有一個淺盤,管內電極寬大的為負極,而電極窄小的為正極。也可從管身形狀和引腳的長短來判斷。通常,靠近管身側向小平面的電極為負極,另一端引腳為正極。長引腳為正極,短引腳為負極。2.性能好壞的測量用萬用表R×10k檔測量紅外發光管有正、反向電阻。正常時,正向電阻值約為15~40kΩ(此值越小越好);反向電阻大於500kΩ(用R×10k檔測量,反向電阻大於200kΩ)。若測得正、反向電阻值均接近零,則說明該紅外發光二極體內部已擊穿損壞。若測得正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極體已開路損壞。若測得的反向電阻值遠遠小於500kΩ,則說明該二極體已漏電損壞。Rac電子資料網
紅外光敏的檢測
將萬用表置於R×1k檔,測量紅外光敏二極體的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值(黑表筆所接引腳為正極)為3~10kΩ左右,反向電阻值為500kΩ以上。若測得其正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則說明該光敏二極體已擊穿或開路損壞。 在測量紅外光敏二極體反向電阻值的同時,用電視機遙控器對著被測紅外光敏二極體的接收視窗(見圖4-75)。正常的紅外光敏二極體,在按動遙控器上按鍵時,其反向電阻值會由500kΩ以上減小至50~100kΩ之間。阻值下降越多,說明紅外光敏二極體的靈敏度越高。

其他光敏的檢測

1.電阻測量法用黑紙或黑布遮住光敏二極體的光信號接收視窗,然後用萬用表R×1k檔測量光敏二極體的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值在10~20kΩ之間,反向電阻值為∞(無窮大)。若測得正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則是該光敏二極體漏電或開路損壞。 再去掉黑紙或黑布,使光敏二極體的光信號接收視窗對準光源,然後觀察其正、反向電阻值的變化。正常時,正、反向電阻值均應變小,阻值變化越大,說明該光敏二極體的靈敏度越高。 2.電壓測量法將萬用表置於1V直流電壓檔,黑表筆接光敏二極體的負極,紅表筆接光敏二極體的正極、將光敏二極體的光信號接收視窗對準光源。正常時應有0.2~0.4V電壓(其電壓與光照強度成正比)。 3.電流測量法將萬用表置於50μA或500μA電流檔,紅表筆接正極,黑表筆接負極,正常的光敏二極體在白熾燈光下,隨著光照強度的增加,其電流從幾微安增大至幾百微安。

雷射的檢測

1.阻值測量法拆下雷射二極體,用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為20~40kΩ之間,反向電阻值為∞(無窮大)。若測得正向電阻值已超過50kΩ,則說明雷射二極體的性能已下降。若測得的正向電阻值大於90kΩ,則說明該二極體已嚴重老化,不能再使用了。 2.電流測量法用萬用表測量雷射二極體驅動電路中負載電阻兩端的電壓降,再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值,當電流超過100mA時,若調節雷射功率電位器(見圖4-76),而電流無明顯的變化,則可判斷雷射二極體嚴重老化。若電流劇增而失控,則說明雷射二極體的光學諧振腔已損壞。

變容的檢測

1.正、負極的判別有的變容二極體的一端塗有黑色標記,這一端即是負極,而另一端為正極。還有的變容二極體的管殼兩端分別塗有黃色環和紅色環,紅色環的一端為正極,黃色環的一端為負極。 也可以用數字萬用表的二極體檔,通過測量變容二極體的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性。正常的變容二極體,在測量其正向電壓降時,表的讀數為0.58~0.65V;測量其反向電壓降時,表的讀數顯示為溢出符號“1”。在測量正向電壓降時,紅表筆接的是變容二極體的正極,黑表筆接的是變容二極體的負極。 2.性能好壞的判斷用指針式萬用表的R×10k檔測量變容二極體的正、反向電阻值。正常的變容二極體,其正、反向電阻值均為∞(無窮大)。若被測變容二極體的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0,則是該二極體漏電或擊穿損壞。

雙基極的檢測

1.電極的判別將萬用表置於R×1k檔,用兩表筆測量雙基極二極體三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值,會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ,這兩個電極即是基極B1和基極B2,另一個電極即是發射極E。再將黑表筆接發射極E,用紅表筆依次去接觸另外兩個電極,一般會測出兩個不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中,紅表筆接的是基極B2,另一個電極即是基極B1。 2.性能好壞的判斷雙基極二極體性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔,將黑表筆接發射極E,紅表筆依次接兩個基極(B1和B2),正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發射極E,黑表筆依次接兩個基極,正常時阻值為無窮大。 雙基極二極體兩個基極(B1和B2)之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ範圍內,若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時,則說明該二極體已損壞。

橋堆的檢測

1.全橋的檢測大多數的整流全橋上,均標註有“+”、“-”、“~”符號(其中“+”為整流後輸出電壓的正極,“-”為輸出電壓的負極,“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。Rac電子資料網 檢測時,可通過分別測量“+”極與兩個“~”極、兩個“~”極與“-”極之間各整流二極體的正、反向電阻值(與普通二極體的測量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內四隻二極體的正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則可判斷該二極體已擊穿或開路損壞。 2.半橋的檢測半橋是由兩隻整流二極體組成,通過用萬用表分別測量半橋內部的兩隻二極體的正、反電阻值是否正常,即可判斷出該半橋是否正常。

高壓矽堆檢測

高壓矽堆內部是由多隻高壓整流二極體(矽粒)串聯組成,檢測時,可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常的高壓矽堆,其正向電阻值大於200kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值,則說明該高壓矽堆已軟擊穿損壞。

變阻的檢測

用萬用表R×10k檔測量變阻二極體的正、反向電阻值,正常的高頻變阻二極體的正向電阻值(黑表筆接正極時)為4.5~6kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向電阻值均很小或均為無窮大,則說明被測變阻二極體已損壞。

肖特基的檢測

二端型肖特基二極體可以用萬用表R×1檔測量。正常時,其正向電阻值(黑表筆接正極)為2.5~3.5Ω,投向電阻值為無窮大。若測得正、反電阻值均為無窮大或均接近0,則說明該二極體已開路或擊穿損壞。 三端型肖特基二極體應先測出其公共端,判別出共陰對管,還是共陽對管,然後再分別測量兩個二極體的正、反向電阻值。正向特性測試 把萬用表的黑表筆(表內正極)搭觸二極體的正極,紅表筆(表內負極)搭觸二極體的負極。若錶針不擺到0值而是停在標度盤的中間,這時的阻值就是二極體的正向電阻,一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值,說明管芯短路損壞,若正向電阻接近無窮大值,說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。

反向特性測試

把萬用表的紅表筆搭觸二極體的正極,黑表筆搭觸二極體的負極,若錶針指在無窮大值或接近無窮大值,二極體就是合格的。

部分參數

下列為比較經常用到的二極體參數
05Z6.2Y;矽穩壓二極體Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,
05Z7.5Y;矽穩壓二極體Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW,
05Z13X;矽穩壓二極體Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW,
05Z15Y;矽穩壓二極體Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,
05Z18Y;矽穩壓二極體Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,
1N4001;矽整流二極體50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)
1N4002;矽整流二極體100V,1A,
1N4003;矽整流二極體200V,1A,
1N4004;矽整流二極體400V,1A,
1N4005;矽整流二極體600V,1A,
1N4006;矽整流二極體800V,1A,
1N4007;矽整流二極體1000V,1A,
1N4148;二極體75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,
1N5391;矽整流二極體50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)
1N5392;矽整流二極體100V,1.5A,
1N5393;矽整流二極體200V,1.5A,
1N5394;矽整流二極體300V,1.5A,
1N5395;矽整流二極體400V,1.5A,
1N5396;矽整流二極體500V,1.5A,
1N5397;矽整流二極體600V,1.5A,
1N5398;矽整流二極體800V,1.5A,
1N5399;矽整流二極體1000V,1.5A,
1N5400;矽整流二極體50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)
1N5401;矽整流二極體100V,3A,
1N5402;矽整流二極體200V,3A,
1N5403;矽整流二極體300V,3A,
1N5404;矽整流二極體400V,3A,
1N5405;矽整流二極體500V,3A,
1N5406;矽整流二極體600V,3A,
1N5407;矽整流二極體800V,3A,
1N5408;矽整流二極體1000V,3A,

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